长江存储在美起诉美光专利侵权，涉8项存储器专利

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界面新闻记者 |彭新

美国存储芯片巨头美光面临长江存储的控诉。界面记者从美国加州北区地方法院公布的文件获悉，11月9日，该法院受理了长江存储诉美光及其子公司的专利侵权案。长江存储称，美光涉嫌侵犯了公司的多项3D NAND技术专利，并用于旗下的固态硬盘产品中。

长江存储成立于2016年7月，总部位于湖北武汉，主攻设计、制造3D NAND闪存芯片。由于采用了自研的Xtacking（晶栈）架构，长江存储在技术上已经追上国外巨头，在NAND领域，长江存储2021年就量产了128层3D堆叠产品，232层产品亦开始上量。

存储产品主要分为DRAM（动态随机存储）和NAND（闪存）两类，前者属于易失性存储器，即一旦断电存储资料立刻流失，一般被用作内存辅助CPU（中央处理器）进行计算；后者为非易失性存储器，用于存储资料，用于制造固态硬盘。

美光是存储芯片龙头公司，与长江存储在NAND市场是竞争对手，据集邦咨询数据，2023年二季度的NAND市场，美光市场份额为13%，排名第五。在市场体量上，长江存储与美光差距较大。

长江存储即在起诉书中称，美光在未经授权的情况下使用长江存储专利技术来与进行市场竞争，保护其市场份额，且美光未就使用上述专利支付合理费用，侵犯了长江存储的利益，遏制了后者的创新动力。其还指控称，美光在自己的专利文件中引用了长江存储相关专利，证明美光了解长江存储的专利组合非常重要，但美光并未采取任何实际行动寻求获取长江存储专利授权。

本次长江存储主张的被侵权专利涉及到8项：US10,950,623（3D NAND存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触 (TAC)）、US10,937,806 （三维存储器件的直通阵列接触 (TAC)）、US10,861,872（三维存储器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存储器操作的体系结构和方法）、US11,600,342（三维闪存的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠三维存储器件及其制造方法）。

长江存储诉称，美光的96层、128层、176层、232层的3D NAND存储器，包含的技术方案均落入了长江存储专利权的保护范围，并被使用于美光旗下固态硬盘中。在该案件中，长江存储诉称，法院应禁止美光的持续侵权行为并追究责任，且由美光就损失和诉讼费用进行赔偿。

此次长江存储向美光起诉专利侵权有一定象征意义，长江存储在起诉书中称，目前其已是全球3D NAND技术领导者，获得行业和第三方机构的广泛认可，其技术创新改进了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和产量，使得多种电子设备创新成为可能。

全球范围的专利诉讼中，科技公司之间的专利诉讼非常常见和普遍。但近年来，国际上大的专利纠纷案主要集中在通信技术领域，以该领域过往经验来看，“专利池”较深者，往往在专利诉讼中地位更为强势，如高通过去数年对手机厂商的发起的专利诉讼挑战，结局往往以双方和解结束，手机厂商需向高通支付专利许可费。

实际上，芯片技术复杂性、多元化特性突出。因此在半导体行业，因专利侵权而大打官司的情况也不少见，长江存储和美光在存储芯片方面都拥有不少专利，双方在专利使用上可能存在交叉。以此来看，长江存储打官司的可能的目的是实现专利交叉许可，双方可以相互使用专利，实现共赢。

实际上，长江存储也在起诉书中就表示，若法院未能就美光侵犯专利下达产品永久禁令，则应制定相关方案，如美光向长江存储支付专利授权费等。

对本文上述情况，美光方面对界面新闻称，不对未决诉讼发表评论。